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Herstellerteilenummer | ISC1210EB2R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210EB2R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210EB2R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 320mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 65MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EB2R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210EB2R2J-FT |
ISC1210BN1R5K
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AGLE600V2-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC484-1
Intel
5SGXMB5R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
XC4005L-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5M13C7N
Intel