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Herstellerteilenummer | ISC1210EBR82J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210EBR82J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210EBR82J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 450mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 160MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210EBR82J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210EBR82J-FT |
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XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel