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Herstellerteilenummer | ISC1210ER6R8J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210ER6R8J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210ER6R8J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 205mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 40MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER6R8J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210ER6R8J-FT |
ISC1210EB56NK
Vishay Dale
ISC1210EB56NM
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ISC1210EB5R6J
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ISC1210EB5R6K
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ISC1210EB680J
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ISC1210EB680K
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ISC1210EB68NM
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ISC1210EB6R8J
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ISC1210EB6R8K
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel