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Herstellerteilenummer | ISC1210ER8R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210ER8R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210ER8R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 195mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 35MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210ER8R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210ER8R2J-FT |
ISC1210EB68NK
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ISC1210EB68NM
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ISC1210EB8R2K
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XC3S400-4FG456I
Xilinx Inc.
EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXMA3K3F40C4N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC5VLX50-2FF1153I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
Intel