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Herstellerteilenummer | ISC1210SYR18M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1210SYR18M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1210 |
ISC1210SYR18M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 180nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 580mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 400MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210SYR18M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1210SYR18M-FT |
ISC1210ERR12M
Vishay Dale
ISC1210ERR15J
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ISC1210ERR15K
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ISC1210ERR22M
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ISC1210ERR27J
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel