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Herstellerteilenummer | ISC1812BN1R8K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1812BN1R8K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1812 |
ISC1812BN1R8K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 1.8µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 403mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 90MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812BN1R8K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1812BN1R8K-FT |
ILC0805ERR27J
Vishay Dale
ILC0805ERR27K
Vishay Dale
ILC0805ERR47J
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IHXL2000VZEB2R2M5A
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IHLP2525CZERR47M01
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IHLP2525CZER4R7M01
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IHLP2525CZER6R8M01
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel