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Herstellerteilenummer | ISC1812EBR82J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1812EBR82J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1812 |
ISC1812EBR82J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 271mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 165MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EBR82J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1812EBR82J-FT |
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel