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Herstellerteilenummer | ISC1812ES2R2K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1812ES2R2K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1812 |
ISC1812ES2R2K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 390mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 460 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 80MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ES2R2K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1812ES2R2K-FT |
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel