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Herstellerteilenummer | ISC1812ESR56M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ISC1812ESR56M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ISC-1812 |
ISC1812ESR56M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 560nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 306mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 750 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 205MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25.2MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1812 (4532 Metric) |
Supplier Device Package | 1812 |
Größe / Abmessung | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812ESR56M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ISC1812ESR56M-FT |
ISC1812ERR47J
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ISC1812ERR47M
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XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
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LFE2M35E-5F672C
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LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
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