Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXDP35N60B
Herstellerteilenummer | IXDP35N60B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXDP35N60B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXDP35N60B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 60A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 70A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 35A |
Leistung max | 250W |
Energie wechseln | 1.6mJ (on), 800µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 120nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Testbedingung | 300V, 35A, 10 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXDP35N60B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXDP35N60B-FT |
IXGH25N100U1
IXYS
IXGH25N120
IXYS
IXGH25N120A
IXYS
IXGH28N140B3H1
IXYS
IXGH28N60B
IXYS
IXGH28N60BD1
IXYS
IXGH28N90B
IXYS
IXGH30N120C3H1
IXYS
IXGH30N120IH
IXYS
IXGH30N60A
IXYS
XC6SLX16-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
M2GL090S-1FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K400CB652C7
Intel
EP1C12Q240C7
Intel