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IXYS IXFB170N30P

MFG-Teilenummer
IXFB170N30P
verfügbare Anzahl
11760 Stücke
Referenzpreis
USD 16.08896
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFB170N30P Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFB170N30P
Zukünftige Teilenummer FT-IXFB170N30P
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFB170N30P Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 258nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PLUS264™
Paket / fall TO-264-3, TO-264AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB170N30P Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFB170N30P-FT

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