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IXYS IXFB30N120P

Name: IXFB30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFB30N120P
Price: 23.7728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (668 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFB30N120P

verfügbare Anzahl: 85110 Stücke

Referenzpreis: USD 23.7728

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFB30N120P.pdf

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IXFB30N120P Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFB30N120P
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFB30N120P
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HiPerFET™, PolarP2™
IXFB30N120P Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22500pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PLUS264™
Paket / fall	TO-264-3, TO-264AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFB30N120P Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFB30N120P-FT

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