Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFF24N100
Herstellerteilenummer | IXFF24N100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFF24N100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFF24N100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS i4-PAC™ |
Paket / fall | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFF24N100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFF24N100-FT |
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