Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH16N120P
Herstellerteilenummer | IXFH16N120P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH16N120P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFH16N120P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 660W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH16N120P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH16N120P-FT |
IXTT140P10T
IXYS
IXTT16N10D2
IXYS
IXTT16N50D2
IXYS
IXTT170N10P
IXYS
IXTT1N300P3HV
IXYS
IXTT1N450HV
IXYS
IXTT20N50D
IXYS
IXTT24P20
IXYS
IXTT26N50P
IXYS
IXTT26N60P
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel