Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH18N60P
Herstellerteilenummer | IXFH18N60P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH18N60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFH18N60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH18N60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH18N60P-FT |
IXFT80N08
IXYS
IXFT80N085
IXYS
IXFT80N10Q
IXYS
IXFT80N15Q
IXYS
IXFT80N20Q
IXYS
IXFT9N80Q
IXYS
IXTT10P50
IXYS
IXTT110N10P
IXYS
IXTT120N15P
IXYS
IXTT12N140
IXYS
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
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