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IXYS IXFH60N65X2-4

MFG-Teilenummer
IXFH60N65X2-4
verfügbare Anzahl
81470 Stücke
Referenzpreis
USD 6.56
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™ MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFH60N65X2-4 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFH60N65X2-4
Zukünftige Teilenummer FT-IXFH60N65X2-4
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™
IXFH60N65X2-4 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 780W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247-4L
Paket / fall TO-247-4
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH60N65X2-4 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFH60N65X2-4-FT

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