Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFH60N65X2
Herstellerteilenummer | IXFH60N65X2 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXFH60N65X2 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFH60N65X2 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6180pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | - |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH60N65X2 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFH60N65X2-FT |
IXFT21N50Q
IXYS
IXFT23N60Q
IXYS
IXFT23N80Q
IXYS
IXFT24N50
IXYS
IXFT24N50Q
IXYS
IXFT26N50
IXYS
IXFT26N50Q
IXYS
IXFT26N60Q
IXYS
IXFT28N50Q
IXYS
IXFT30N50
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel