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IXYS IXFH7N100P

MFG-Teilenummer
IXFH7N100P
verfügbare Anzahl
96930 Stücke
Referenzpreis
USD 5.133336
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFH7N100P Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFH7N100P
Zukünftige Teilenummer FT-IXFH7N100P
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™, Polar™
IXFH7N100P Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2590pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH7N100P Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFH7N100P-FT

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