Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFJ40N30
Herstellerteilenummer | IXFJ40N30 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFJ40N30 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFJ40N30 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-220-3, Short Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ40N30 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFJ40N30-FT |
IRFC4010EB
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Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
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XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
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EPF10K10LC84-4
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EPF81188ARC240-2
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EP1C12Q240C7
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