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IXYS IXFK80N65X2

MFG-Teilenummer
IXFK80N65X2
verfügbare Anzahl
72990 Stücke
Referenzpreis
USD 11.33696
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™ MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFK80N65X2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFK80N65X2
Zukünftige Teilenummer FT-IXFK80N65X2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™
IXFK80N65X2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8245pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-264
Paket / fall TO-264-3, TO-264AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFK80N65X2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFK80N65X2-FT

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