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IXYS IXFN110N85X
- MFG-Teilenummer
- IXFN110N85X
- verfügbare Anzahl
- 60370 Stücke
- Referenzpreis
- USD 37.312
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- HiPerFET™ MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IXFN110N85X.pdf
IXFN110N85X Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IXFN110N85X |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN110N85X |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HiPerFET™ |
| IXFN110N85X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 850V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 425nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17000pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
| Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFN110N85X Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXFN110N85X-FT |
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