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Herstellerteilenummer | IXFN180N25T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN180N25T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ |
IXFN180N25T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 168A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 345nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 900W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN180N25T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN180N25T-FT |
IXFH13N80Q
IXYS
IXFH13N90
IXYS
IXFH14N100
IXYS
IXFH14N80
IXYS
IXFH150N15P
IXYS
IXFH150N17T
IXYS
IXFH150N17T2
IXYS
IXFH15N100
IXYS
IXFH15N100Q
IXYS
IXFH15N60
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
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