Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFN27N80
Herstellerteilenummer | IXFN27N80 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN27N80 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFN27N80 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 27A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9740pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 520W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN27N80 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN27N80-FT |
IXFH150N17T2
IXYS
IXFH15N100
IXYS
IXFH15N100Q
IXYS
IXFH15N60
IXYS
IXFH15N80
IXYS
IXFH160N15T
IXYS
IXFH16N90Q
IXYS
IXFH17N80Q
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IXFH20N60
IXYS
IXFH20N60Q
IXYS
A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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EPF10K10LC84-4N
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