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IXYS IXFN360N10T

Name: IXFN360N10T
Brand: IXYS
SKU: IXFN360N10T
Price: 16.792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (365 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFN360N10T

verfügbare Anzahl: 40200 Stücke

Referenzpreis: USD 16.792

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFN360N10T.pdf

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IXFN360N10T Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFN360N10T
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFN360N10T
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HiPerFET™
IXFN360N10T Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	360A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	505nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	36000pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	830W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Supplier Device Package	SOT-227B
Paket / fall	SOT-227-4, miniBLOC
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN360N10T Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFN360N10T-FT

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