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Herstellerteilenummer | IXFN50N120SIC |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN50N120SIC |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXFN50N120SIC Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 47A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 2mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 20V |
Vgs (Max) | +20V, -5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 1000V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN50N120SIC Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN50N120SIC-FT |
IXFH23N60Q
IXYS
IXFH23N80Q
IXYS
IXFH24N50Q
IXYS
IXFH26N55Q
IXYS
IXFH26N60Q
IXYS
IXFH28N50Q
IXYS
IXFH30N40Q
IXYS
IXFH30N50
IXYS
IXFH30N50Q
IXYS
IXFH30N60Q
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel