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IXYS IXFN50N120SIC

MFG-Teilenummer
IXFN50N120SIC
verfügbare Anzahl
53230 Stücke
Referenzpreis
USD 49.1776
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IXFN50N120SIC.pdf
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IXFN50N120SIC Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFN50N120SIC
Zukünftige Teilenummer FT-IXFN50N120SIC
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
IXFN50N120SIC Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V
Vgs (Max) +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SOT-227B
Paket / fall SOT-227-4, miniBLOC
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN50N120SIC Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFN50N120SIC-FT

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