Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFN64N50P
Herstellerteilenummer | IXFN64N50P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFN64N50P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXFN64N50P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 61A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 700W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN64N50P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFN64N50P-FT |
IXFH17N80Q
IXYS
IXFH20N60
IXYS
IXFH20N60Q
IXYS
IXFH20N80Q
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IXFH21N50Q
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IXFH22N55
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IXFH23N60Q
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IXFH23N80Q
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IXFH24N50Q
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EX64-TQ100I
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