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IXYS IXFP130N10T2

MFG-Teilenummer
IXFP130N10T2
verfügbare Anzahl
91950 Stücke
Referenzpreis
USD 2.34
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFP130N10T2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFP130N10T2
Zukünftige Teilenummer FT-IXFP130N10T2
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFP130N10T2 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP130N10T2 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFP130N10T2-FT

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