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IXYS IXFP180N10T2

Name: IXFP180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2
Price: 3.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (245 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFP180N10T2

verfügbare Anzahl: 79210 Stücke

Referenzpreis: USD 3.024

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFP180N10T2.pdf

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IXFP180N10T2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFP180N10T2
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFP180N10T2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFP180N10T2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	480W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP180N10T2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFP180N10T2-FT

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