Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFP18N60X
Herstellerteilenummer | IXFP18N60X |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFP18N60X |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFP18N60X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 320W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP18N60X Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFP18N60X-FT |
IXTH41N25
IXYS
IXTH44N30T
IXYS
IXTH48N15
IXYS
IXTH48N20
IXYS
IXTH48N20T
IXYS
IXTH4N150
IXYS
IXTH50N25T
IXYS
IXTH50N30
IXYS
IXTH50P085
IXYS
IXTH54N30T
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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