Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFP36N30P3
Herstellerteilenummer | IXFP36N30P3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXFP36N30P3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, Polar3™ |
IXFP36N30P3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2040pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 347W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP36N30P3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFP36N30P3-FT |
IXTH4N150
IXYS
IXTH50N25T
IXYS
IXTH50N30
IXYS
IXTH50P085
IXYS
IXTH54N30T
IXYS
IXTH56N15T
IXYS
IXTH60N10
IXYS
IXTH60N15
IXYS
IXTH60N25
IXYS
IXTH60N30T
IXYS