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IXYS IXFP4N100P

MFG-Teilenummer
IXFP4N100P
verfügbare Anzahl
98180 Stücke
Referenzpreis
USD 1.8
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IXFP4N100P Spezifikationen

Herstellerteilenummer IXFP4N100P
Zukünftige Teilenummer FT-IXFP4N100P
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HiPerFET™, PolarP2™
IXFP4N100P Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1456pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP4N100P Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IXFP4N100P-FT

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