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Herstellerteilenummer | IXFQ12N80P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFQ12N80P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFQ12N80P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ12N80P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFQ12N80P-FT |
IXTP44N25T
IXYS
IXTP4N60P
IXYS
IXTP50N085T
IXYS
IXTP54N30T
IXYS
IXTP55N075T
IXYS
IXTP5N50P
IXYS
IXTP5N60P
IXYS
IXTP64N055T
IXYS
IXTP6N50P
IXYS
IXTP70N085T
IXYS
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
Intel