Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFQ30N60X
Herstellerteilenummer | IXFQ30N60X |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFQ30N60X |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFQ30N60X Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3P |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFQ30N60X Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFQ30N60X-FT |
IXTP90N055T2
IXYS
IXFP20N85X
IXYS
IXTP44N30T
IXYS
IXFP38N30X3
IXYS
IXFP5N50P3
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IXTP15N50L2
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IXFJ32N50Q
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IXFP12N50PM
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IXFP130N10T
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A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
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EP4SGX530KF43C3
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A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
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EP2S60F1020C5
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