Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFR24N100
Herstellerteilenummer | IXFR24N100 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFR24N100 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFR24N100 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 267nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 416W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Paket / fall | ISOPLUS247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR24N100 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFR24N100-FT |
IXTX600N04T2
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IXTX8N150L
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