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Herstellerteilenummer | IXFR32N100Q3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFR32N100Q3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFR32N100Q3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9940pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 570W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR32N100Q3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFR32N100Q3-FT |
IXTX120N65X2
IXYS
IXFX48N60Q3
IXYS
IXFX55N50F
IXYS-RF
IXFX120N30P3
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