Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFR36N60P
Herstellerteilenummer | IXFR36N60P |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXFR36N60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFR36N60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Paket / fall | ISOPLUS247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR36N60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFR36N60P-FT |
IXFX200N10P
IXYS
IXFX20N120P
IXYS
IXFX220N17T2
IXYS
IXFX240N15T2
IXYS
IXFX250N10P
IXYS
IXFX26N100P
IXYS
IXFX26N120P
IXYS
IXFX27N80Q
IXYS
IXFX32N100Q3
IXYS
IXFX32N80P
IXYS
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel