Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFR80N10Q

IXYS IXFR80N10Q

Name: IXFR80N10Q
Brand: IXYS
SKU: IXFR80N10Q
Availability: InStock
Rating: 4.9 (68 reviews)

MFG-Teilenummer: IXFR80N10Q

verfügbare Anzahl: 16350 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXFR80N10Q.pdf

Angebot anfordern für IXFR80N10Q

Name der Firma

Gesprächspartner

Telefonnummer

Adresse

Email

Botschaft

IXFR80N10Q Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXFR80N10Q
Zukünftige Teilenummer	FT-IXFR80N10Q
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HiPerFET™
IXFR80N10Q Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	310W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	ISOPLUS247™
Paket / fall	ISOPLUS247™
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFR80N10Q Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXFR80N10Q-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns