Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT26N50Q TR
Herstellerteilenummer | IXFT26N50Q TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT26N50Q TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFT26N50Q TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 (IXFT) |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT26N50Q TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT26N50Q TR-FT |
IRFI4121H-117P
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XC4VLX160-10FF1148C
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