Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT36N60P
Herstellerteilenummer | IXFT36N60P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT36N60P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFT36N60P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 650W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT36N60P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT36N60P-FT |
IXFT140N10P
IXYS
IXFT14N80P
IXYS
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