Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXFT50N85XHV
Herstellerteilenummer | IXFT50N85XHV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT50N85XHV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™ |
IXFT50N85XHV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 850V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 152nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4480pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 890W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-268 |
Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT50N85XHV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFT50N85XHV-FT |
IXFK24N90Q
IXYS
IXFK25N90
IXYS
IXFK260N17T
IXYS
IXFK26N60Q
IXYS
IXFK26N90
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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