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IXYS IXFT86N30T
- MFG-Teilenummer
- IXFT86N30T
- verfügbare Anzahl
- 34410 Stücke
- Referenzpreis
- USD 4.8216
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 300V 86A TO268
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IXFT86N30T.pdf
IXFT86N30T Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IXFT86N30T |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXFT86N30T |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| IXFT86N30T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 300V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 86A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 860W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-268 |
| Paket / fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFT86N30T Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXFT86N30T-FT |
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