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IXYS IXFX32N100P
- MFG-Teilenummer
- IXFX32N100P
- verfügbare Anzahl
- 48690 Stücke
- Referenzpreis
- USD 13.696
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- IXYS
- Kurze Beschreibung
- HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IXFX32N100P.pdf
IXFX32N100P Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IXFX32N100P |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IXFX32N100P |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HiPerFET™, PolarP2™ |
| IXFX32N100P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14200pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 960W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | PLUS247™-3 |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXFX32N100P Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IXFX32N100P-FT |
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