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Herstellerteilenummer | IXFZ140N25T |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXFZ140N25T |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GigaMOS™ HiPerFET™ |
IXFZ140N25T Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 445W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DE475 |
Paket / fall | DE475 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFZ140N25T Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXFZ140N25T-FT |
IXTP48P05T
IXYS
IXTP4N65X2
IXYS
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IXTP50N20P
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IXTP86N20T
IXYS
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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