Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXGL200N60B3
Herstellerteilenummer | IXGL200N60B3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXGL200N60B3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GenX3™ |
IXGL200N60B3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | PT |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 150A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 600A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
Leistung max | 400W |
Energie wechseln | 1.6mJ (on), 2.9mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 750nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 44ns/310ns |
Testbedingung | 300V, 100A, 1 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | ISOPLUS264™ |
Supplier Device Package | ISOPLUS264™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGL200N60B3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXGL200N60B3-FT |
IKZ75N65EL5XKSA1
Infineon Technologies
IKY50N120CH3XKSA1
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XC3S50A-5TQG144C
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LFE2-12E-7T144C
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XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX16-VQG100I
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EPF8452ATC100-4N
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5SGXMA5N1F40C2N
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5SGSMD5K2F40C1
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A42MX16-2TQ176
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6
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EP4SGX70HF35I3N
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