Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXGQ35N120BD1
Herstellerteilenummer | IXGQ35N120BD1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IXGQ35N120BD1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IXGQ35N120BD1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 75A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 35A |
Leistung max | 400W |
Energie wechseln | 900µJ (on), 3.8mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 140nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 40ns/270ns |
Testbedingung | 960V, 35A, 3 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Supplier Device Package | TO-3P |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGQ35N120BD1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXGQ35N120BD1-FT |
IXSH45N120
IXYS
IXSH45N120B
IXYS
IXSH50N60B
IXYS
IXXH40N65B4H1
IXYS
IXXH60N65B4H1
IXYS
IXYH30N65C3H1
IXYS
IXYH40N65C3H1
IXYS
IXYH50N65C3H1
IXYS
IXGP30N120B3
IXYS
IXGP20N120A3
IXYS
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel