Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Single / IXGR50N60B2D1
Herstellerteilenummer | IXGR50N60B2D1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXGR50N60B2D1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFAST™ |
IXGR50N60B2D1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 600V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 68A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 40A |
Leistung max | 200W |
Energie wechseln | 550µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 140nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 18ns/190ns |
Testbedingung | 480V, 40A, 5 Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | ISOPLUS247™ |
Supplier Device Package | ISOPLUS247™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGR50N60B2D1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXGR50N60B2D1-FT |
IXGT45N120
IXYS
IXGT50N60B
IXYS
IXGT50N60B2
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XC2V6000-6FFG1517C
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Xilinx Inc.
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5SGXEABK3H40I4N
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5SGXMA7K2F35I3N
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XC2VP7-5FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208C
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LCMXO2280C-4FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30B956C6
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