Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXKC25N80C
Herstellerteilenummer | IXKC25N80C |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXKC25N80C |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IXKC25N80C Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | ISOPLUS220™ |
Paket / fall | ISOPLUS220™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKC25N80C Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXKC25N80C-FT |
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation