Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTA130N10T7
Herstellerteilenummer | IXTA130N10T7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTA130N10T7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMV™ |
IXTA130N10T7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5080pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263 (IXTA) |
Paket / fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA130N10T7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTA130N10T7-FT |
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN23UN,135
NXP USA Inc.
PMN23UN,165
NXP USA Inc.
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
PMN25ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN25UN,115
NXP USA Inc.
PMN27UN,135
NXP USA Inc.
PMN27UP,115
Nexperia USA Inc.
PMN27UPH
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel