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IXYS IXTA1R6N100D2HV

Name: IXTA1R6N100D2HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1R6N100D2HV
Price: 2.07008 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (602 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTA1R6N100D2HV

verfügbare Anzahl: 43540 Stücke

Referenzpreis: USD 2.07008

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Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTA1R6N100D2HV.pdf

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IXTA1R6N100D2HV Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTA1R6N100D2HV
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTA1R6N100D2HV
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IXTA1R6N100D2HV Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.6A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	645pF @ 10V
FET-Funktion	Depletion Mode
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263HV
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1R6N100D2HV Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTA1R6N100D2HV-FT

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