Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTD3N60P-2J

IXYS IXTD3N60P-2J

Name: IXTD3N60P-2J
Brand: IXYS
SKU: IXTD3N60P-2J
Availability: InStock
Rating: 4.9 (788 reviews)

MFG-Teilenummer: IXTD3N60P-2J

verfügbare Anzahl: 39220 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: IXYS

Kurze Beschreibung: PolarHV™ MOSFET N-CH 600

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IXTD3N60P-2J.pdf

IXTD3N60P-2J Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IXTD3N60P-2J
Zukünftige Teilenummer	FT-IXTD3N60P-2J
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PolarHV™
IXTD3N60P-2J Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Last Time Buy
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	411pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	70W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Die
Paket / fall	Die
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTD3N60P-2J Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IXTD3N60P-2J-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns