Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IXTD3N60P-2J
Herstellerteilenummer | IXTD3N60P-2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IXTD3N60P-2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PolarHV™ |
IXTD3N60P-2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 411pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 70W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Die |
Paket / fall | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTD3N60P-2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IXTD3N60P-2J-FT |
IXFH14N100Q
IXYS
IXFH1799
IXYS
IXFH1837
IXYS
IXFH32N48
IXYS
IXFH32N48Q
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IXFH35N30Q
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IXFH67N10Q
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A3PN015-1QNG68I
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A1415A-PQ100I
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A10V20B-PL68C
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
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